BSO615NG

BSO615N
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BSO615N参数：MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008
标准包装：2,500
系列：SIPMOS®
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：150毫欧@2.6A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@20µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：380pF@25V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：PG-DSO-8